英特尔宣布了混合结合封装和SuperFin工艺。混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，增加足足25倍。SuperFin工艺由增强型FinFET晶体、Super MIM电容器结合而来，能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺，基于SuperFin晶体管技术等创新的加强，10nm工艺可以实现节点内超过15％的性能提升。