14日,三星电子在上海召开 “2018三星晶圆代工论坛”,首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划,以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。
三星提出3纳米芯片工艺
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- 2018-06-16 21:34
三星提出3纳米芯片工艺
14日,三星电子在上海召开 “2018三星晶圆代工论坛”,首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划,以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。
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14日,三星电子在上海召开 “2018三星晶圆代工论坛”,首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划,以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。